DatasheetsPDF.com

KT8159 Datasheet PDF


Part Number KT8159
Manufacturer Integral
Title PNP Transistor
Description КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисто...
Features Время задержки Обозначение Uкэо гp. Iкбo Iэбо h21е Uкэ(нас) tвкл. * tсп. * tзд. * Ед. Режимы измеpения изм. B Iк=30mA, Iб=0 мА Uкб=Uкб max, Iэ=0 мA Uэб=-5B, Iк=0 Uкэ=-4B, Iэ=-5A В Iк=-5A, Iб=-20мA мкс Iк=-5А, Iб1=-20мА, Iб2=-20мА, Uкэ=-16В Min Max -60 -80 -100 1000 -0,4 -5,0 -2,0 0,5 2,5 1,1 ...

File Size 237.05KB
Datasheet KT8159 PDF File








Similar Ai Datasheet

KT815 : КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • • • Прототип КТ815Б - BD135 Прототип КТ815В - BD137 Прототип КТ815Г - BD139 Особенности • • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Комплиментарная пара – КТ814 КТ-27 Обозначение технических условий • аАО. 336.185 ТУ / 02 Корпусное исполнение • • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ815А, Б, В, Г пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ815А9, Б9, В9, Г9 КТ-89 Назначение выводов Вывод (корпус КТ-27) №1 №2 №3 Назначение.

KT8156 : КТ8156 n-p-n составной биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона) с интегральными демпфирующим и базо-эмиттерным ускоряющими диодами. Предназначены для работы в выходных ступенях горизонтальной развертки малогабаритных черно-белых электроннолучевых трубок, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежный прототип • Прототип – BU807 Особенности • Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 100°C Обозначение техниче.

KT8159A : КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототипы – BDV64A-C Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C • Комплиментаpная паpа - КТ8158 Обозначение технических условий • АДБК.432150.530 ТУ Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 .

KT8159B : КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототипы – BDV64A-C Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C • Комплиментаpная паpа - КТ8158 Обозначение технических условий • АДБК.432150.530 ТУ Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 .

KT815A : DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors •Bipolar Transistors Part КТ220А9 КТ220Б9 КТ220В9 КТ220Г9 КТ3102АM КТ3102БM КТ3102ВM КТ3102ГM КТ3102ДM КТ3102ЕM КТ3102ЖM КТ3102ИM КТ3102КM КТ3107А КТ3107Б КТ3107В КТ3107Г КТ3107Д КТ3107Е КТ3107Ж КТ3107И КТ3107К КТ3107Л КТ3117А КТ3117Б КТ3117А1 КТ3126А КТ3126Б KT3127A KT3128A1 KT3129A9 KT3129Б9 KT3129B9 KT3129Г9 KT3129Д9 KT3130A9 KT3130Б9 KT3130B9 KT3130Г9 KT3130Д9 KT3130E9 КТ3130Ж9 КТ3142А KT3153A9 KT3157A KT3189A9 KT3189Б9 KT3189B9 KT368A9 KT368Б9 KT502A KT502Б KT502В KT502Г KT502Д KT502Е Pin to Pin Polarity Compatibility KSC1623 NPN IC РC VCB VCE VEB max, max, max, max, max, V V W V mА 0.2 60 50 5 100 hFE 0.1 90180 135270 200400 300600 100250 0.25 0.

KT815A : ·High Collector Current-IC= 1.5A ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Low Saturation Voltage ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 1.5 A ICP Collector Current-Pulse Collector Power Dissipation @ TC=25℃ PC Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ TJ Junction Temperature 2 A 10 W 1 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~15.

KT815B : Транзисторы биполярные n-p-n большой мощности низкой и средней частоты Название КТ815Б Материал Si Ik max,A 1.5 Ik и max,A 3 Uкэo гр(Uкэо,и max)[Uкэr max],B40 Uэбо max(Uэбо,и max),B 5 Pк max(Pк,ср max)(Pк,и max),Вт 10 при Tк(T),C 25 Tк max(T max),C 100 h21э(h21э)[S21 тип] 40 при Uкэ(Uкб),B 2 Uкэ нас,B 1 Iкб0(Iкэr){Iкэо},mA 0.6 fгр(fh21),MГц 0.005 Ск,пф 3 Сэ,пф 60 Rт п-к(Rт п-с),С/Вт 10 .




Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)