DatasheetsPDF.com

2T313B Datasheet PDF


Part Number 2T313B
Manufacturer kwazar-is
Title Silicon epitaxial-planar p-n-p transistor
Description EV.UA KWAZAR- S.K ДП КВАЗАР-ИС ЭТИКЕТКА Транзисторы: 2Т313А, 2Т313Б. Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы 2Т313А, 2Т313Б выполн...
Features лее менее более h21Э 30 120 80 300 IКБ0 - 0,5 - 0,5 IЭБ0 - 0,5 - 0,5 UКЭнас - 0,5 - 0,5 UБЭнас - 1,3 - 1,3 СК - 12 - 12 tc - 120 - 120 Содержание драгоценных металлов в 1000 шт. годных изделий: Золото: ____________________________________ г Цветных металлов не содержится СВЕДЕНИЯ О...

File Size 42.38KB
Datasheet 2T313B PDF File








Similar Ai Datasheet

2T3108A : EV.UA KWAZAR- S.K ДП КВАЗАР-ИС ЭТИКЕТКА Транзисторы: 2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В. Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы 2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В выполненные в металло-стеклянном корпусе типа КТ-1-7 (ТО-18) и предназначены для применения в радиоэлектронных устройствах широкого назначения. Схемы расположения выводов Ключ Э Б К Масса не более 0,5 г ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ (25 + 10) 0С Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Uкб = 1 В, Iэ = 10 мА) Обратный ток коллектора, мкА (Uкб = 60 В для 2Т3108А, Uкб = 45 В для 2Т3108Б, 2Т3108В) Обратный ток эмиттера, мкА (Uэб .

2T3108B : EV.UA KWAZAR- S.K ДП КВАЗАР-ИС ЭТИКЕТКА Транзисторы: 2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В. Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы 2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В выполненные в металло-стеклянном корпусе типа КТ-1-7 (ТО-18) и предназначены для применения в радиоэлектронных устройствах широкого назначения. Схемы расположения выводов Ключ Э Б К Масса не более 0,5 г ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ (25 + 10) 0С Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Uкб = 1 В, Iэ = 10 мА) Обратный ток коллектора, мкА (Uкб = 60 В для 2Т3108А, Uкб = 45 В для 2Т3108Б, 2Т3108В) Обратный ток эмиттера, мкА (Uэб .

2T313A : EV.UA KWAZAR- S.K ДП КВАЗАР-ИС ЭТИКЕТКА Транзисторы: 2Т313А, 2Т313Б. Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы 2Т313А, 2Т313Б выполненные в металлостеклянном корпусе типа КТ-1-7 (ТО-18) и предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. Схемы расположения выводов Ключ Э Б К Масса не более 0,5 г ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ 25 + 10 0С Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Uкб = 10 В, Iэ = 1 мА) Обратный ток коллектора, мкА (Uкб = 50 В) Обратный ток эмиттера, мкА (Uэб = 5 В) Напряжение насыщения коллектор-эмиттера, В (Iк = 150 мА, .

2T313A : .

2T313B : .

2T316 : КТ316 , 2Т316 Справочник по отечественным транзисторам КТ316 , 2Т316 (кремниевый транзистор, n-p-n) Прибор КТ316 А КТ316 Б КТ316 В КТ316 Г КТ316 Д 2Т316 А 2Т316 Б 2Т316 В 2Т316 Г 2Т316 Д Предельные параметры при T = 25°C IК, IК и. UКЭR max max max (UКЭ0 мА мА max), В UКБ0 UЭБ0 PК max, max, max, (Pmax), В В мВт 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) T, °C Tп max, °C Tmax, °C h21Э (h21э) Параметры при T = 25°C RТ п- UКБ IЭ (UКЭ), (IК), В мА UКЭ IКБ0, нас, (IКЭR), В мкА fгр (fh21), МГц Кш, дБ CК, пФ .

2T316 : .

2T316A : КТ316 , 2Т316 Справочник по отечественным транзисторам КТ316 , 2Т316 (кремниевый транзистор, n-p-n) Прибор КТ316 А КТ316 Б КТ316 В КТ316 Г КТ316 Д 2Т316 А 2Т316 Б 2Т316 В 2Т316 Г 2Т316 Д Предельные параметры при T = 25°C IК, IК и. UКЭR max max max (UКЭ0 мА мА max), В UКБ0 UЭБ0 PК max, max, max, (Pmax), В В мВт 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) T, °C Tп max, °C Tmax, °C h21Э (h21э) Параметры при T = 25°C RТ п- UКБ IЭ (UКЭ), (IК), В мА UКЭ IКБ0, нас, (IКЭR), В мкА fгр (fh21), МГц Кш, дБ CК, пФ .

2T316A : .

2T316B : КТ316 , 2Т316 Справочник по отечественным транзисторам КТ316 , 2Т316 (кремниевый транзистор, n-p-n) Прибор КТ316 А КТ316 Б КТ316 В КТ316 Г КТ316 Д 2Т316 А 2Т316 Б 2Т316 В 2Т316 Г 2Т316 Д Предельные параметры при T = 25°C IК, IК и. UКЭR max max max (UКЭ0 мА мА max), В UКБ0 UЭБ0 PК max, max, max, (Pmax), В В мВт 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 50 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) 30 50 10 10 4 (150) T, °C Tп max, °C Tmax, °C h21Э (h21э) Параметры при T = 25°C RТ п- UКБ IЭ (UКЭ), (IК), В мА UКЭ IКБ0, нас, (IКЭR), В мкА fгр (fh21), МГц Кш, дБ CК, пФ .

2T316B : .

2T326 : КТ326 , 2Т326 Справочник по отечественным транзисторам КТ326 , 2Т326 (кремниевый транзистор, p-n-p) Прибор КТ326 А КТ326 АМ КТ326 Б КТ326 БМ 2Т326 А 2Т326 Б Предельные параметры при T = 25°C IК, IК и. UКЭR max max max (UКЭ0 мА мА max), В UКБ0 UЭБ0 PК max, max, max, (Pmax), В В мВт 50 15 20 4 200 50 15 20 5 200 50 15 20 4 200 50 15 20 5 200 50 15 20 4 250 50 15 20 4 250 T, °C Tп max, °C Tmax, °C h21Э (h21э) Параметры при T = 25°C RТ п-с UКБ IЭ (UКЭ), (IК), В мА UКЭ нас, В IКБ0, (IКЭR), мкА fгр (fh21), МГц Kш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tрас, мкс (RТ пк), °C/Вт 30 150 125 20...70 2 10 1,2 0,5 400 54 25 150 125 20...70 2 10 0,3 0,5 250 5 4 0,45 625 30 150 125 45...1.

2T326A : КТ326 , 2Т326 Справочник по отечественным транзисторам КТ326 , 2Т326 (кремниевый транзистор, p-n-p) Прибор КТ326 А КТ326 АМ КТ326 Б КТ326 БМ 2Т326 А 2Т326 Б Предельные параметры при T = 25°C IК, IК и. UКЭR max max max (UКЭ0 мА мА max), В UКБ0 UЭБ0 PК max, max, max, (Pmax), В В мВт 50 15 20 4 200 50 15 20 5 200 50 15 20 4 200 50 15 20 5 200 50 15 20 4 250 50 15 20 4 250 T, °C Tп max, °C Tmax, °C h21Э (h21э) Параметры при T = 25°C RТ п-с UКБ IЭ (UКЭ), (IК), В мА UКЭ нас, В IКБ0, (IКЭR), мкА fгр (fh21), МГц Kш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tрас, мкс (RТ пк), °C/Вт 30 150 125 20...70 2 10 1,2 0,5 400 54 25 150 125 20...70 2 10 0,3 0,5 250 5 4 0,45 625 30 150 125 45...1.

2T326B : КТ326 , 2Т326 Справочник по отечественным транзисторам КТ326 , 2Т326 (кремниевый транзистор, p-n-p) Прибор КТ326 А КТ326 АМ КТ326 Б КТ326 БМ 2Т326 А 2Т326 Б Предельные параметры при T = 25°C IК, IК и. UКЭR max max max (UКЭ0 мА мА max), В UКБ0 UЭБ0 PК max, max, max, (Pmax), В В мВт 50 15 20 4 200 50 15 20 5 200 50 15 20 4 200 50 15 20 5 200 50 15 20 4 250 50 15 20 4 250 T, °C Tп max, °C Tmax, °C h21Э (h21э) Параметры при T = 25°C RТ п-с UКБ IЭ (UКЭ), (IК), В мА UКЭ нас, В IКБ0, (IКЭR), мкА fгр (fh21), МГц Kш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tрас, мкс (RТ пк), °C/Вт 30 150 125 20...70 2 10 1,2 0,5 400 54 25 150 125 20...70 2 10 0,3 0,5 250 5 4 0,45 625 30 150 125 45...1.




Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)