IRF7456 Datasheet

IRF7456 Power MOSFET

PD- 93840B SMPS MOSFET IRF7456 HEXFET® Power MOSFET l Applications High Frequency DC-DC Converters with Synchronous Rectification VDSS 20V RDS(on) max 0.0065Ω ID 16A Benefits Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Charge and Low Gate Impedance to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Av.

Features

c-Level Driven Synchronous Rectifiers Notes  through „ are on page 8 www.irf.com 1 4/20/00 IRF7456 Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient V(BR)DSS RDS(on) VGS(th) IDSS IGSS Min. 20
  –
  –
  –
  –
  –
  – Static Drain-to-Source On-Resistance
  –
  –
  –
  –
  –
  – Gate Threshold Voltage 0.6
  –
  –
  – Drain-to-Source Leakage Current
  –
  –
  – Gate-to-Source Forward Leakage
  –
  –
  – Gate-to-Source Reverse Leakage
  –
  –
  – Typ. Max. Units Conditions
  –
  –
  –
  –
  –
  – V VGS = 0V, I D = 250µA 0.024
  –
  –
  – V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA 0.00470.0065 VGS = .