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SFH325 Datasheet PDF

Siemens Semiconductor Group
Part Number SFH325
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Title NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELEDa-Package
Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector...
Features q Especially suitable for applications from q q q q Bereich von 380 nm bis 1150 nm (SFH 325) und bei 880 nm (SFH 325 FA) Hohe Linearität P-LCC-2 Gehäuse Gruppiert lieferbar nur für Reflow IR-Lötung geeignet. Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. q q q q 380 nm to 1150 nm (SFH 325) and o...

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SFH325 SFH325 SFH325




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SFH300 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 260 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS 300 °C VCE IC ICS VEC 35 50 100 7 V mA mA V S.

SFH3010 : Prowdwuwk.todsartaemn-bolast.tco|mVersion 1.1 SFH 3010   SFH 3010 SMARTLED® Silicon NPN Phototransistor (not for new design in automotive applications) Applications ——Access Control (IRIS/Vein Scan, Face Recognition) ——Electronic Equipment ——Health Monitoring (Heart Rate Monitoring, Pulse Oximetry) Features: ——Package: Epoxy, diffuse ——ESD: 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2) ——Very small package: (LxWxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm ——Large viewing angle ± 80° ——Available on tape and reel ——Spectral range of sensitivity: (typ) 420 ... 1100 nm Ordering Information  Type Photocurrent  VCE = 5 V; λ = 950 nm; Ee = 0.5 mW/cm² IPCE SFH 3010-Z ≥ 25 µA Ordering Code Q65110A64.

SFH3015FA : Emitter Collector 8 Version 1.6 | 2020-11-20  SFH 3015 FA   Recommended Solder Pad 6) Reflow Soldering Profile Product complies to MSL Level 3 acc. to JEDEC J-STD-020E 300 ˚C T 250 240 ˚C 217 ˚C tP 200 tL 150 tS 100 OHA04525 Tp 245 ˚C 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 250 s 300 t 9 Version 1.6 | 2020-11-20  SFH 3015 FA   Profile Feature Symbol Ramp-up rate to preheat*) 25 °C to 150 °C Time tS tS TSmin to TSmax Ramp-up rate to peak*) TSmax to TP Liquidus temperature TL Time above liquidus temperature tL Peak temperature TP Time within 5 °C of the specified peak tP temperature TP - 5 K Ramp-down rate* TP to 100 °C Time 25 °C to TP Pb-Free (SnAgCu.

SFH302 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80.

SFH303 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 260 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS 300 °C VCE IC ICS VEB 50 50 100 7 V mA .

SFH305 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 230 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS .

SFH309 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 260 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS 300 °C VCE IC ICS 35 15 75 V mA mA Semiconductor Group 2 SFH 309 SFH 309 FA Gr.

SFH309P : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 260 Einheit Unit Top; Tstg TS °C °C TS.

SFH310 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 260 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS .

SFH313 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 260 E.

SFH314 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 260 E.

SFH320 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 35 15 75 165 450 Einheit Unit °C V mA mA mW K/W Top; Tstg VCE IC ICS Ptot RthJA Semiconductor Group 2 SFH 320 SFH 320 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit .

SFH320FA : NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED®-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA fpl06724 fplf6724 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm (SFH 320) und bei 880 nm (SFH 320 FA) q Hohe Linearität q P-LCC-2 Gehäuse q Gruppiert lieferbar q für alle Lötverfahren geeignet Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especially suitable for applications from 380 nm to 1150 nm (SFH 320) and of 8.

SFH331 : Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom (LED) Forward current (LED) Kollektorstrom (Transistor) Collector current (Transistor) Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung (LED) Reverse voltage (LED) Kollektor-Emitter Spannung (Transistor) Collector-emitter voltage (Transistor) Verlustleistung Total power dissipation Symbol Symbol LED Wert Value Transistor – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 + 100 – 15 75 °C Einheit Unit Top Tstg Tj IF IC – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 + 100 30 – 500 ˚C ˚C mA mA mA IFM VR VCE 5 – 100 – 35 165 V V mW Ptot Wärmewiderstand Sperrschicht/Um.

SFH3400 : Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektor-Emitterspannung, t 120 s Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb Symbol Symbol Top; Tstg VCE VCE IC ICS VEC Ptot RthJA Wert Value – 40 ... + 85 20 70 50 100 7 120 450 Einheit Unit o C V V mA mA V mW K/W Semiconductor Group 2 1998-04-27 SFH 3400 Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm) Characteristics Bez.

SFH3400 : collector n.c. emitter 2016-04-01 6 Version 1.3 Recommended Solder Pad SFH 3400 Reflow Soldering Profile Product complies to MSL Level 4 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 300 ˚C T 250 240 ˚C 217 ˚C 200 150 tS 100 tP tL OHA04525 Tp 245 ˚C 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 250 s 300 t 2016-04-01 7 Version 1.3 SFH 3400 Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat*) 25 °C to 150 °C Symbol Symbol Pb-Free (SnAgCu) Assembly Minimum Recommendation Maximum 23 Time tS TSmin to TSmax Ramp-up rate to peak*) TSmax to TP Liquidus temperature Time above liquidus temperature tS TL tL 60 100 120 23 217 80 100 Peak temperature TP 245 Time within 5 °C of the specified peak t.




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