198NT3TBK

СВЕДЕНИЯ О ПРИЕМКЕ Микросхемы интегральные 198НТ3ТВК, 198НТ3Т1ВК соответствуют техническим условиям АЕЯР.431410.245 ТУ; ОСМ198НТ3Т1ВК соответствует техническим условиям АЕЯР.431410.245 ТУ и ПО.070.052 и признаны годными для эксплуатации. Приняты по извещению №_________от_________ Дата МИКРОСХЕМЫ 198НТ3ТВК, 198НТ3Т1ВК, ОСМ198НТ3Т1ВК Код ОКП: 6331328335 – 198НТ3ТВК; 6331328345 – 198НТ3Т1ВК, ОСМ198НТ3Т1ВК ЭТИКЕТКА САРЛ.431130.030 ЭТ3 Микросхемы интегральные 198НТ3ТВК, 198НТ3Т1ВК, ОСМ198НТ3Т1ВК – матрица транзисторов NPN типа. Схема расположения выводов Штамп ОТК Штамп представителя заказчика Перепроверка произведена__________________ Дата Приняты по извещению №_________от_________ Дата www.DataSheet.co.kr Штамп ОТК Штамп представителя заказчика Нумерация выводов показана условно. Ключ показывает начало отсчета выводов. Масса не более 0,8 г. Схема электрическая принципиальная 12 1 7 4 VТ2 VТ3 VТ4 VТ5 УКАЗАНИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ «ВНИМАНИЕ-Соблюдайте меры предосторожности при работе – ПРИБОРЫ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К СТАТИЧЕСКОМУ ЭЛЕКТРИЧЕСТВУ». Допустимое значение статического потенциала 200 В. 10 11 2 3 8 9 5 6 Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ при температуре ( 25±5 ) °C Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Статический коэффициент передачи тока при:UСВ=3 В; IЕ= -0,5 мА Буквенное обозначение h21Е Норма не менее не более 200 Содержание драгоценных металлов в 1000 шт. микросхем: - золото Цветных металлов н...