4515

N   -channel Enhancement Mode MOSFET     DESCRIPTION    The   uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.      GENERAL FEATURES   RDS(ON) <  Ω @ VGS=4.5V    RDS(ON) <  Ω @ VGS=10V   High Power and current handing capability   Lead free product is acquired   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous(Note 2)  VGS  ID（25℃）  ID（100℃）  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation (TA=25℃)  IDM  PD  Operating Junction and Storage Temperature Range  TJ,TSTG  THERMAL CHARACTERISTICS  Thermal Resistance,Junction‐to‐Ambient (Note 2)  RθJA             4515 DATASHEET 3424   S1 S2 S3 G4   8D 7D 6D 5D Marking and pin assignment Limit  45  +20          ‐55 To 150  35  Unit  V  V  A  A  A  W  ℃  ℃/W                               1                                N-channel Enhancement Mode MOSFET       ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃unless otherwise noted)  4515 DATASHEET 3424 Parameter  Symbol  Condition  Min  Typ  Max  OFF CHARACTERISTICS  Drain‐Source Breakdown Voltage  BVDSS  VGS=0V ID=250μA  45      Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS=24V,VGS=0V      1  Gate‐Body...