A1002

INCHANGE Semiconductor  isc Silicon PNP Power Transistor  isc Product Specification  2SA1002  DESCRIPTION  ·High Current Capability  ·Collector­Emitter Breakdown Voltage­  : V(BR)CEO= ­120V(Min.)  APPLICATIONS  ·Designed for audio and general purpose applications.  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)  SYMBOL  PARAMETER  VALUE  UNIT  VCBO  Collector­Base Voltage  ­120  V  VCEO  Collector­Emitter Voltage  ­120  V  VEBO  Emitter­Base Voltage  ­6  V  IC  Collector Current­Continuous  Collector Power Dissipation  PC  @TC=25℃  Tj  Junction Temperature  Tstg  Storage Temperature  ­12  A  120  W  150  ℃  ­55~150  ℃ isc website：www.iscsemi.cn  1  INCHANGE Semiconductor  isc Silicon PNP Power Transistor  isc Product Specification  2SA1002  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  Tj=25℃  unless otherwise specified  SYMBOL  PARAMETER  CONDITIONS  MIN  TYP.  MAX  UNIT  V(BR)CEO  Collector­Emitter Breakdown Voltage  IC= ­30mA; IB= 0  ­120  V  V(BR)CBO  Collector­Base Breakdown Voltage  IC= ­1mA; IE= 0  ­120  V  V(BR)EBO  Emitter­Base Breakdown Voltage  IE= ­1mA; IC= 0  ­6  V  VCE(sat)  Collector­Emitter Saturation Voltage  IC= ­8A; IB= ­0.8A  ICBO  Collector Cutoff Current  VCB= ­120V; IE= 0  IEBO  Emitter Cutoff Current  VEB= ­6V; IC= 0  ­3.0  V  ­50  μA  ­50  μA  hFE  DC Current Gain  IC= ­0.5A ; VCE= ­5V  50  200  fT  Current­Gain—Bandwidth Product  IC= ­1A ; VCE= ­10V  40  MHz isc website：www.iscsemi.cn  2  ...