B544

Ordering number : EN0199 2SB544 / 2SD400 Preliminary SANYO Semiconductors DATA SHEET 2SB544 / 2SD400 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Electronic Governor Applications Specifications ( ) : 2SB544 Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-to-Base Voltage Collector Current Collector Current (Pulse) Collector Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg Electrical Characteristics at Ta=25°C Conditions Parameter Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Collector-to-Emitter Saturation Voltage Base-to-Emitter Saturation Voltage Collector-to-Base Breakdown Voltage Collector-to-Emitter Breakdown Voltage Emitter-to-Base Breakdown Voltage Symbol Conditions ICBO IEBO hFE1 hFE2 fT Cob VCE(sat) VBE(sat) V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO VCB=(--)20V, IE=0A VEB=(--)4V, IC=0A VCE=(--)2V, IC=(--)50mA VCE=(--)2V, IC=(--)1A VCE=(--)10V, IC=(--)50mA VCB=(--)10V, f=1MHz IC=(--)500mA, IB=(--)50mA IC=(--)500mA, IB=(--)50mA IC=(--)10μA, IE=0A IC=(--)1mA, RBE=∞ IE=(--)10μA, IC=0A Ratings (--)25 (--)25 (--)5 (--)1 (--)2 900 150 --55 to +150 Unit V V V A A mW °C °C Ratings min typ 60* 30 180 (25)15 (--0.15) 0.1 (--)0.85 (--)25 (--)25 (--)5 max (--)1.0 (--)1.0 560* (--0.7)0.3 (--)1.2 Unit μA μA MHz pF V V V V V * : The 2SB544 / 2SD400 is classified by hFE at 50mA as foll...