Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode
BP 104 S
Chip position
0...0.1 1.2 1.1 0.3
1.1 0.9
0.2 0.1
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Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode
BP 104 S
Chip position
0...0.1 1.2 1.1 0.3
1.1 0.9
0.2 0.1
6.7 6.2 4.5 4.3 1.6 ±0.2
0.9 0.7
GEO06861
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q geeignet für Vapor-Phase Löten und IRReflow-Löten q SMT-fähig Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Fernsteuerungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln”
Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q Suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering q Suitable for SMT Applications q Photointerrupters q IR remote controls q Industrial electronics q For control and drive circuits
Typ Type BP 104 S
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1605
Semiconductor Group
1
1997-11-19
feo06862
Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm
Cathode lead
4.0 3.7
1.7 1.5
0...5
˚
BP 104 S
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse
voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 85 20 150 Einheit Unit °C V mW
Top; Tstg VR Ptot
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit...
