Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode
BPW 33
0.6 0.4
1.2 0.7
0.8 0.6
Cathode marking 4.0 3.7
5.4 4.9 4.5 4.3
Chip...
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode
BPW 33
0.6 0.4
1.2 0.7
0.8 0.6
Cathode marking 4.0 3.7
5.4 4.9 4.5 4.3
Chip position
0.6 0.4 0.8 0.6
0.5 0.3
0.35 0.2
0.6 0.4
0 ... 5˚ 5.08 mm spacing Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm
GEO06643
1.8 1.4
3.5 3.0
0.6 0.4 2.2 1.9
Approx. weight 0.1 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q Sperrstromarm (typ. 20 pA) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Anwendungen q Belichtungsmesser q Farbanalyse
Features
q Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
q Low reverse current (typ. 20 pA) q DIL plastic package with high packing
density Applications q Exposure meters q Color analysis
Typ Type BPW 33
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P76
Semiconductor Group
1
1997-11-19
feo06643
BPW 33
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse
voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 85 7 150 Einheit Unit °C V mW
Top; Tstg VR Ptot
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindl...
