Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity
BPW 34 B
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Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity
BPW 34 B
0.6 0.4
1.2 0.7
0.8 0.6
Cathode marking 4.0 3.7
5.4 4.9 4.5 4.3
Chip position
0.6 0.4 0.8 0.6
0.5 0.3
0.35 0.2
0.6 0.4
0 ... 5˚ 5.08 mm spacing Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm
GEO06643
1.8 1.4
3.5 3.0
0.6 0.4 2.2 1.9
Approx. weight 0.1 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte q SMT-Variante auf Anfrage Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Features q Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 25 ns) q DIL plastic package with high packing density q SMT version on request Applications
q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Wechsellichtbetrieb im sichtbaren Lichtbereich q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln”
Typ Type BPW 34 B
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P945
Semiconductor Group
1
1997-11-19
feo06643
BPW 34 B
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse
voltage Verlustleistung, TA...
