BPX65

BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit q BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA) q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 oC1) Anwendungen q schneller optischer Empfänger mit groβer Modulationsbandbreite Typ Type BPX 65 BPX 66 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P27 Q62702-P80 Features q Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm q BPX 65: high photosensitivity q BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA) q Hermetically sealed metal package (TO-18), suitable up to 125 oC1) Applications q Fast optical sensor of high modulation bandwidth Gehäuse Package 18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (2/10”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically sealed package, solder tabs 2.54 mm (2/10”) lead spacing, anode marking: projection at package bottom 1) 1) Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 oC For operating conditions of TA > 85 oC please contact us. Semiconductor Group 342 10.95 BPX 65 BPX 66 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse e...