BPX80

BPX 80 BPX 82 ... 89 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 ... 89 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm q Hohe Linearität q Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und Features q Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm q High linearität q Multiple-digit array package of transparent epoxy q Available in groups Applications q q q q Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Miniature photointerrupters Punched tape reading Industrial electronics For control and drive circuits Semiconductor Group 1 03.96 feo06367 fez06365 BPX 80 BPX 82 ... 89 Typ Type Transistoren pro Zeile Number of Transistors per Array min 2 3 4 5 6 7 8 9 10 4.5 7.0 9.6 12.1 14.6 17.2 19.7 22.3 24.8 Maße “A” Dimensions “A” max 4.9 7.4 10 12.5 15 17.6 20.1 22.7 25.2 Bestellnummer Ordering Code BPX 82 BPX 83 BPX 84 BPX 85 BPX 86 BPX 87 BPX 88 BPX 89 BPX 80 Q62702-P21 Q62702-P25 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P22 Q62702-P32 Q62702-P33 Q62702-P26 Q62702-P28 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Dip soldering temperature ≥...