BPX 90 BPX 90 F
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode
BPX 90 BPX 90 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensi...
BPX 90 BPX 90 F
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode
BPX 90 BPX 90 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90) und bei 950 nm (BPX 90 F) q Hohe Fotoempfindlichkeit q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Anwendungen
q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln”
Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (BPX 90) and of 950 nm (BPX 90 F) q High photosensitivity q DIL plastic package with high packing density Applications
q Industrial electronics q For control and drive circuits
Typ Type BPX 90 BPX 90 F
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P47 Q62702-P928
Semiconductor Group
1
01.97
feof6014
feo06014
BPX 90 BPX 90 F
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse
voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 230 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
VR Ptot
32 100
V mW
Kennwerte TA = 25 °C Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of m...