Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM150GB120DLC
vorläufige Daten preliminary dat...
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM150GB120DLC
vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter
voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak
voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test
voltage tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 150 300 300 V A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
1,2
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
150
A
IFRM
300
A
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C
2 I t
-
kA2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
www.DataSheet4U.com Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation
voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold
voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 150A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 150A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 6mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VG...