Diode. D291S Datasheet

D291S Datasheet PDF

Part D291S
Description Fast Diode
Feature European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information D 291 S ø3,5+0, deepth =.
Manufacture eupec
Datasheet
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D291S
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
D 291 S
ø3,5+0,
deepth = 4±0,2 on both
C
A
Applikation: Beschaltungsdiode zu GTO - Vorrichtungen
Application: Snubberdiode at GTO - Inverter
VWK January



D291S
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 291 S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert1)
surge forward current1)
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anpreßkraft /clamping force
Gewicht / weight
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
tvj = -40°C...140°C
VRRM
tvj = +25°C...140°C
tC = 85°C
tC = 51°C
tvj = 25°C
tvj = 125°C
tvj = 25°C
tvj = 125°C
tvj = 125°C, IFM = 3000 A, VRM = 1600 V
C = 0,125 µF, R = 6
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
(-di/dt)com
3500V, 4000 V
4500 V
3600V, 4100
4600 V
700 A
290 A
445 A
5200 A
4500 A
135000
100000 A²s
700 A/µs
tvj = 125°C iFM = 1200 A
tvj = 125°c
tvj = 125°C
tvj = 125°C, vR = 0,67 VRRM
tvj = 125°C, vR = VRRM
iFM = 1000 A, -dFi /dt = 250 A/µs
tvj = 125°C; vR(Spr) = 1000 V;
C = 0,125 µF; R = 6
iFM = 1000 A, -dFi /dt = 250 A/µs
tvj = 125°C; vR(Spr) = 1000 V;
C = 0,125 µF; R = 6
VF
V(TO)
rT
iR
IRM
Qrr
4,15 V
1,9 V
1,76 m
ca. 30 mA
50 mA
500 A
950 µAs
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
RthCK
tvjmax
tc op
tstg
0,04 K/W
0,08 K/W
0,006 K/W
0,012 K/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
DIN 40040
f = 50 Hz
Seite / page 1
F
9...13 kN
G
ca. 250 g
20 mm
30 mm
C
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.




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