European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information D 291 S
ø3,5+0, deepth = 4±0,2 on both
C
A...
European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information D 291 S
ø3,5+0, deepth = 4±0,2 on both
C
A
Applikation: Beschaltungsdiode zu GTO - Vorrichtungen Application: Snubberdiode at GTO - Inverter
VWK January
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 291 S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse
voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse
voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current Dauergrenzstrom / mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert1) surge forward current1) Grenzlastintegral I²t-value Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit critical repetitive rate of fall of on - state
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward
voltage Schleusenspannung / threshold
voltage Ersatzwiderstand / forward slope resistance Sperrstrom / reverse current
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung recovered charge
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp. / max. junction temperat. Betriebstemperatur / operating temperature Lagertemperatur / storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix Anpreßkraft /clamping force Gewicht / weight Lufts...