www.DataSheet4U.com
Technische Information / Technical Information
Dioden-Module Diode-Modules
DD 400 S 65 K1
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs Aussetzspannung partial discharge extinction voltage tP = 1 ms Tvj=125°C Tv.
Dioden-Module
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Technische Information / Technical Information
Dioden-Module Diode-Modules
DD 400 S 65 K1
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs Aussetzspannung partial discharge extinction voltage tP = 1 ms Tvj=125°C Tvj=25°C Tvj=-40°C 6500 6300 5800 400
VCES
V
IF
A
IFRM
800
A
VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C
I2t
87
k A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
10,2
kV
RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
VISOL
5,1
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
Durchlaßspannung forward voltage Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 400A, Tvj = 25°C IF = 400A, Tvj = 125°C VR = 6300V, Tvj = 25°C VR = 6500V, Tvj = 125°C IF = 400A, - diF/dt = 1400A/µs VR = 3600V, Tvj = 25°C VR = 3600V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 400A, - diF/dt = 1400A/µs VR = 3600V, Tvj = 25°C VR = 3600V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 400A, - diF/dt = 1400A/µs VR = 3600V, Tvj = 25°C VR = 3600V, Tvj = 125°C Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm LsCE Erec 440 1050 25 mJ mJ nH Qr 360 700 µC µC IRM.