DF120R12W2H3_B27

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DF120R12W2H3_B27 TypischeAnwendungen SolarAnwendungen ElektrischeEigenschaften HighSpeedIGBTH3 NiedrigeSchaltverluste MechanischeEigenschaften 3kVAC1minIsolationsfestigkeit Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand IntegrierterNTCTemperaturSensor KompaktesDesign PressFITVerbindungstechnik J VCES = 1200V IC nom = 40A / ICRM = 80A TypicalApplications Solarapplications ElectricalFeatures HighspeedIGBTH3 Lowswitchinglosses MechanicalFeatures 3kVAC1mininsulation Al2O3substratewithlowthermalresistance IntegratedNTCtemperaturesensor Compactdesign PressFITcontacttechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM approvedby:AKDA ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 dateofpublication:2016-04-04 revision:V3.1 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DF120R12W2H3_B27 VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentat...