DF75R12W1H4F_B11

DF75R12W1H4F_B11 EasyPACKModulundPressFIT/NTC EasyPACKmoduleandPressFIT/NTC J TypischeAnwendungen SolarAnwendungen ElektrischeEigenschaften CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5 NiedrigeSchaltverluste MechanischeEigenschaften 3kVAC1minIsolationsfestigkeit Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand IntegrierterNTCTemperaturSensor KompaktesDesign PressFITVerbindungstechnik VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypicalApplications Solarapplications ElectricalFeatures CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5 Lowswitchinglosses MechanicalFeatures 3kVAC1mininsulation Al2O3substratewithlowthermalresistance IntegratedNTCtemperaturesensor Compactdesign PressFITcontacttechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 Datasheet www.infineon.com PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.2 2017-03-31 DF75R12W1H4F_B11 Bypass-Diode/Bypass-Diode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip TH = 100°C GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 100°C StoßstromGrenzwert Surgeforw...