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GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse Chipgröße 300 x 300 µm2 GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute sp...
