TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FD400R33KF2C
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brak...
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FD400R33KF2C
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter
voltage
Tvj = 25°C Tvj = -25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeak
voltage
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
3300 3300 400 660
800
4,80
+/-20
V
A A
A
kW
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturation
voltage
IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung Gatethreshold
voltage
IC = 40,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
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