FF1200R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FF1200R12KE3 Höchstzulässige Werte / maximum rated values vorläufige Daten preliminary data Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25°C Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Tc= 70°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Gesamt Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C; Transistor Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp= 1ms Grenzlastintegral I²t value VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I²t VISOL 1200 1200 1600 2400 5 +/- 20 1200 2400 300 2,5 V A A A kW V A A k A²s kV Charakteristische Werte / characteristic values Tran...