TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FF225R12MS4
EconoDUAL™3ModulmitschnellemI...
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FF225R12MS4
EconoDUAL™3ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten EconoDUAL™3modulewithfastIGBT2forhighswitchingfrequency
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter
voltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 60°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeak
voltage
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
1200 225 275 450
1450
+/-20
V
A A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturation
voltage
IC = 225 A, VGE = 15 V IC = 225 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung Gatethreshold
voltage
IC = 9,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 2...