Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Elektrische Eigenschaften / Elect...
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse
voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip
Dauergleichstrom DC forward current
Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t - value
TC = 80°C
tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms,
Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C
VRRM
1600
V
IFRMSM
40
A
Id
15
A
IFSM
300
A
230
A
I2t
450
A2s
260
A2s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter
voltage
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
Tc = 80 °C TC = 25 °C
tP = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak
voltage
VCES
1200
V
IC,nom.
15
A
IC
30
A
TC = 80 °C
ICRM
30
A
Ptot
180
W
VGES
+/- 20V
V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral I2t - value
Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
IF
15
A
IFRM
30
A
I2t
125
A2s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter
voltage
Kolle...