FP25R12KS4C

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP25R12KS4C Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t - value TC = 80°C tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C VRRM 1600 V IFRMSM 40 A Id 25 A IFSM 300 A 230 A I2t 450 A2s 260 A2s Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VCES 1200 V IC,nom. 25 A IC 40 A TC = 80 °C ICRM 50 A Ptot 230 W VGES +/- 20V V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF 25 A IFRM 50 A I2t 125 A2s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kolle...