FP40R12KE3G

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP40R12KE3G Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Durchlaßstrom Grenzeffektivwert proChip Forward current RMS maximum per Chip Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 Tvj = 25°C TC = 80°C TC = 80°C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25°C 25°C VRRM IRMSmax IFRMSM IFSM I2 t 1600 75 V A A A A A2s A2s tP = 10 ms, T vj = 150°C tP = 10 ms, T vj = 150°C Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value Tvj = 25°C Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistu...