DatasheetsPDF.com

FS150R12KE3 Datasheet

Part Number FS150R12KE3
Manufacturers eupec GmbH
Logo eupec GmbH
Description IGBT-Module
Datasheet FS150R12KE3 DatasheetFS150R12KE3 Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS150R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter.

  FS150R12KE3   FS150R12KE3






Part Number FS150R12KE3
Manufacturers Infineon
Logo Infineon
Description IGBT
Datasheet FS150R12KE3 DatasheetFS150R12KE3 Datasheet (PDF)

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS150R12KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj.

  FS150R12KE3   FS150R12KE3







IGBT-Module

www.DataSheet4U.com Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS150R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C VCES IC, nom IC ICRM 1200 150 200 300 V A A A Tc= 25°C Ptot 700 W VGES +/- 20 V IF 150 A IFRM 300 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I²t 4,56 kA²s RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 6mA VCEsat min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,1 t.


2006-12-30 : 6MBI75U2A-060    6MBI75UB-120    6MBP50RTB060    6SD106E    7MBR100SD060    7MBR50UA120    7MBR50UA120    7MBR75SD060    82C836    AN540   


@ 2014 :: Datasheetspdf.com ::
Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)