FS150R17KE3G

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS150R17KE3G EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK™+modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues VorläufigeDaten PreliminaryData Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC  150 240  A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  300 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  1050 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 150 A, VGE = 15 V IC = 150 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 6,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 17...