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FZ800R12KS4 Datasheet

Part Number FZ800R12KS4
Manufacturers eupec GmbH
Logo eupec GmbH
Description IGBT-Module
Datasheet FZ800R12KS4 DatasheetFZ800R12KS4 Datasheet (PDF)

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 80°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES 1200 V IC,nom. IC ICRM 800 1200 1600 A A A www.DataSheet4U.com Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector .

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Part Number FZ800R12KS4_B2
Manufacturers Infineon
Logo Infineon
Description IGBT
Datasheet FZ800R12KS4 DatasheetFZ800R12KS4_B2 Datasheet (PDF)

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R12KS4_B2 HochleistungsmodulmitAlSiCBodenplatteundschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten HighPowerModulewithAlSiCbaseplateandshorttailIGBT2forhighswitchingfrequency IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj.

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IGBT-Module

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 80°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES 1200 V IC,nom. IC ICRM 800 1200 1600 A A A www.DataSheet4U.com Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage TC=25°C, Transistor Ptot 6,9 kW VGES +/- 20V V IF 800 A tP = 1 ms IFRM 1600 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C 2 It 185.000 A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2.500 V Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Gateladung gate charge Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 32 mA, VCE = VGE, Tvj =.


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