Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 800 R 17 KF6C B2
1700V IGBT Modul mit low l...
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 800 R 17 KF6C B2
1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter
voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom www.DataSheet4U.com repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak
voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test
voltage tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 800 1300 1600 V A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
6,6
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
800
A
IFRM
1600
A
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
I2t
170
kA2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation
voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold
voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter...
