HFP50N06

www.DataSheet4U.com Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFP50N06 ¨€ ¨€ APPLICATIONSL Low Voltage high-Speed Switching. TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ T stg ¡ ª ¡ ª Tj ¡ª PD ¡ª VDSS ¡ª VGSS ¡ ª ID ¡ª Storage Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Operating Junction Temperature ¡Allowable Power Dissipation £¨ Tc=25¡æ£© Drain-Source Voltage ¡- ¡- ¡Gate-Source Voltage ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Drain Current £¨ Tc=25¡æ£© ¡¡- Ta=25¡æ£© - 55~175¡æ 150¡æ 130W 60V 1¨D G 2¨D D 3¨D S ±20V 50A ¨€ ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨ Symbol Characteristics Ta=25¡æ£© Min Typ Max Unit Test Conditions BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Is VSD Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate –Source Leakage Current 60 1 ¡À 2.0 880 430 110 60 185 75 60 39 9.5 13 50 1.5 1.15 ¡æ V ¦Ì A nA V Ω pF pF pF nS nS nS nS nC nC nC ID=250¦Ì A ,VGS=0V VGS=0 VDS = 60V£¬ Gate Threshold Voltage Static Drain-Source On-Resistance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn - On Delay Time Rise Time Turn - Off Delay Time 100 4.0 1140 560 140 130 380 160 130 45 VGS=¡À 20V , VDS =0V VDS = VGS , ID =250¦Ì A VGS=10V, ID =25A VDS =25V, VGS=0,f=1MHz 0.018 0.023 VDD =30V, ID =25A RG= 50 ¦¸ * VDS =48V VGS=10V ID=50A* IS =50A , VGS=0 Fall Time Total Gate Charge Gate–Source Charge Gate–Drain Charge Continuous Source Current A V /W Diode Forward Voltage Thermal Resistance£¬ Rt...