MUR830

INCHANGE Semiconductor  Ultrafast Recovery Rectifier  Product Specification  MUR830  FEATURES  ·Ultrafast Recovery Time  ·Low Forward Voltage  ·Low Leakage Current  ·175℃  Operating Junction Temperature  ·High Temperature Glass Passivated Junction  MECHANICAL CHARACTERISTICS  ·Case: Epoxy, Molded  ·Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and  Terminal Leads are Readily Solderable  ·Lead Temperature for Soldering Purposes: 260℃  Max.  for 10 Seconds  APPLICATIONS  ·Designed for use in switching power supplies, inverters and as  free wheeling diodes.  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)  SYMBOL  PARAMETER  VALUE  UNIT  VRRM  VRW M  VR  IF(AV)  Peak Repetitive Reverse Voltage  Working Peak Reverse Voltage  DC Blocking Voltage  Average Rectified Forward Current  (Rated VR)  IFM  IFSM  Peak Repetitive Forward Current  (Rated VR,Square Wave,20kHz)  Nonrepetitive Peak Surge Current  (Surge applied at rated load conditions half­  wave, single phase, 60Hz)  300  8  16  100  V  A  A  A  TJ  Junction Temperature  ­65~175  ℃  Tstg  Storage Temperature Range  ­65~175  ℃ isc website：www.iscsemi.cn  1  INCHANGE Semiconductor  Ultrafast Recovery Rectifier  THERMAL CHARACTERISTICS  SYMBOL  PARAMETER  Rth j­c  Thermal Resistance,Junction to Case  Product Specification  MUR830  MAX  UNIT  2.0  ℃/W  ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃)  (Pulse Test: Pulse Width=300μs,Duty Cycle≤2%)  SYMBOL  PARAMETER  CONDITIONS  MAX  UNIT  VF  Maximum Instantaneous Forwar...