NTE2903 MOSFET N−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch TO−220 Full Pack Type Package
D
Features: D Low Drain−Source O...
NTE2903
MOSFET N−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch TO−220 Full Pack Type Package
D
Features: D Low Drain−Source ON Resistance: RDS(ON) = 1.35 Typ D High Forward Transfer Admittance: |yfs| = 3.5S Typ D Low Leakage Current: IDSS = 100A (VDS = 500V) D Enhancement Mode: Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
G S
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified)
Drain−Source
Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
Drain−Gate
Voltage (RGS = 20k), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
Gate−Source
Voltage, VGSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Drain
Current (Note Continuous .
2), ...
I.D.
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5A
Pulsed (t = 1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Drain Power Dissipation (TC = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W Single Pulse Avalanche Energy (Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180mJ Avalanche Current, IAR . . . . . . . . . . . ....
