NTE2905 MOSFET P−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Repetitive Avalanche Rated D ...
NTE2905
MOSFET P−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Repetitive Avalanche Rated D P−Channel D Isolated Central Mounting Hole D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements
Absolute Maximum Ratings:
Continuous
TTCC
= =
Drain Current +25°C . . . . . . +100°C . . . . .
.(V. .G.S. .....
= .. ..
−10V), ...... ......
.ID. . ...
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−12A −7.5A
Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −48A Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1.2W/°C
Gate−to−Source
Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 790mJ Avalanche Current (Note 1), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −12A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR . . . . . . . . . . . ....