NTE2914

NTE2914 MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO220FM Type Package Features: D Low On−Resistance: RDS = 0.026W Typ. D High Speed Switching D 4V Gate Drive Device can be Driven from 5V Source Absolute Maximum Ratings: (TA = +255C unless otherwise specified) Drain−to−Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V Gate−to−Source Voltage, VGSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20V Continuous Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A Peak Drain Current (Note 1), ID(pulse) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A Body−Drain Diode Reverse Drain Current, IDR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A Avalanche Current (Note 2), IAP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A Avalanche Energy (Note 2), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34mJ Channel Dissipation (TC = +255C), PCH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W Channel Temperature, TCH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...