NTE2985 Logic Level MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO220 Type Package
Features: D Dynamic dv/dt R...
NTE2985 Logic Level
MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO220 Type Package
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Logic Level Gate Drive D RDS(on) Specified at VGS = 4V & 5V D +1755C Operating Temperature D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements
D G
Absolute Maximum Ratings:
S
Drain
CCPuuorlnrsTTeteiCCnndtu==,(oIN++Duo21st50e(50VC15GC)S. ...=...
5V) .... .... ....
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. 30A . 21A 110A
Total
PDowerearteDiAsbsiopvaetio2n55(CTC.
= ..
+255C), .......
.P.D.
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. . . . 88W 0.59W/5C
Gate−Source
Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +10V Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220mJ Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....
