NTE2994

NTE2994 MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Absolute Maximum Ratings: (TC = +255C unless otherwise specified) Drain−Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V Gate−Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +30V ContinuPCououlnssteinDdurao. iu.n.s.C(.Tu.Cr.re.=.n+.t,.2I.5D.5.C.). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +10A +40A Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W Avalanche Energy (VCC = 45V, L = 1.58mH), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86.2mJ Avalanche Current, Repetitive or Non−Repetitive (TJ 3 +1505C), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1505C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....