NTE2996 MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO220 Type Package
Features: D Ultra Low On−Resistance D D...
NTE2996
MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO220 Type Package
Features: D Ultra Low On−Resistance D Dynamic dv/dt Rating D +1755C Operating Temperature D Fast Switching D Fully Avalanche Rated
D G
Absolute Maximum Ratings:
S
Drain
CCPuuorlnrsTTeteiCCnndtu==,(oIN++Duo21st50e(50VC25GC)(SN..=o.. ..t1e..0..1V..))..
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. 84A . 59A 330A
Total
PDowerearteDiAsbsiopvaetio2n55(CTC.
= ..
+255C), .......
.P.D.
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. . 200W 1.4W/5C
Gate−Source
Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20V
Single Pulsed Avalanche Energy (IAS = 50A, L = 260mH, Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320mJ
Avalanche Current (Note 2), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Repetitive Avalanche Energy (Note 2), EAR . . . . . . . . . . . . ...