NTE2996

NTE2996 MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO220 Type Package Features: D Ultra Low On−Resistance D Dynamic dv/dt Rating D +1755C Operating Temperature D Fast Switching D Fully Avalanche Rated D G Absolute Maximum Ratings: S Drain CCPuuorlnrsTTeteiCCnndtu==,(oIN++Duo21st50e(50VC25GC)(SN..=o.. ..t1e..0..1V..)).. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84A . 59A 330A Total PDowerearteDiAsbsiopvaetio2n55(CTC. = .. +255C), ....... .P.D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W 1.4W/5C Gate−Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20V Single Pulsed Avalanche Energy (IAS = 50A, L = 260mH, Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320mJ Avalanche Current (Note 2), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A Repetitive Avalanche Energy (Note 2), EAR . . . . . . . . . . . . ...