NTE341

NTE341 Silicon NPN Transistor RF Power Output PD Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min 18 36 4 − 10 4 12 − Typ − − − − − − − 180 Max Unit − − − 250 100 − − 230 W dB pF http://www.Datasheet4U.com OFF Characteristics Collector−Emitter Breakdown Voltage Emitter−Base Breakdown Voltage Collector Cutoff Current ON Characteristics DC Current Gain Dynamic Characteristics Output Power Common−Emitter Amplifier Power Gain Output Capacitance F w C ww Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified) Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V Collector−Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V Emitter−Base Voltage, VEBO 4V ......................................................... Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 640mA Total Device Dissipation, Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8W Operating Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....