RBR3LAM40C

RBR3LAM40C Schottky Barrier Diode 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline VR 40 V Io 3 A IFSM 75 A ●Features High reliability Small power mold type Low VF ●Inner Circuit Data sheet 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　 ●Application ●Packaging Specifications General rectification Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 180 ●Structure Taping Width(mm) Quantity(pcs) 12 3000 Silicon epitaxial planar Taping Code TR Marking A8 ●Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage Average rectified forward current VRM VR Io Duty≦0.5 Reverse direct voltage Glass epoxy mounted、 60Hz half sin waveform、resistive load、 Tc=110℃ Max. 40 40 3 V V A Peak forward surge current IFSM 60Hz half sin waveform、Non-repetitive、 one cycle、Ta=25℃ 75 A Junction temperature(1) Tj - Storage temperature Tstg - Note(1) To avoid occurrence of thermal runaway， actual board is to be designed to fulfill dPd/dTj<1/Rth(j-a). 150 -55 ～ 150 ℃ ℃ ●Characteristics (Tj=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit Forward voltage Reverse current VF IF=3A - - 0.55 V IR VR=40V - - 100 μA Attention 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2016- ROHMCo., Ltd.All rights reserved. 1/5 　 2019/05/28_Rev.002 RBR3LAM40C ●Characteristic Curves 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　...