RD3L08BGN

RD3L08BGN 　　Nch 60V 80A Power MOSFET 　　 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 60V 5.5mΩ ±80A 119W lFeatures 1) Low on - resistance 2) High power small mold package 　　(TO-252) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% Rg and UIS tested lOutline DPAK TO-252 　 　 　　　　　　 lInner circuit 　 lApplication Switching lPackaging specifications Packing 　 Embossed Tape Reel size (mm) 330 Type Tape width (mm) Quantity (pcs) 16 2500 Taping code TL Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) RD3L08BGN Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current VGS = 10V Gate - Source voltage Avalanche current, single pulse Avalanche energy, single pulse Power dissipation Junction temperature Operating junction and storage temperature range VDSS ID*1 IDP*2 VGSS IAS*3 EAS*3 PD*1 Tj Tstg 60 ±80 ±160 ±20 40 60 119 150 -55 to +150 V A A V A mJ W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20190527 - Rev.003 　 　 RD3L08BGN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - case 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJC*1 Values Min. Typ. Max. - - 1.05 Unit ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature...