SKKT57

VRSM VRRM (dv/ VDRM dt)cr V 500 700 V 400 600 V/µs ITRMS (maximum value for continuous operation) 95 A ITAV (sin. 180; Tcase = 74°C) 60 A SKKH 56/04 D SKKH 56/06 D – SKKH 57/06 D SKKH 57/08 D SKKH 57/12 E SKKH 57/14 E SKKH 57/16 E SKKH 57/18 E SKKH 57/20 E SKKH 57/22 E SEMIPACK® 1 Thyristor / Diode Modules SKKT 56 SKKT 57 SKKT 57B SKKH 56 SKKH 57 – – 500 500 SKKT 56/06 D SKKT 57/06 D 900 800 500 SKKT 56/08 D SKKT 57/08 D1) SKKH 56/08 D 1300 1200 1000 SKKT 56/12 E SKKT 57/12 E1) SKKH 56/12 E 1500 1400 1000 SKKT 56/14 E SKKT 57/14 E1) 1700 1600 1000 SKKT 56/16 E SKKT 57/16 E1) 1900 1800 1000 SKKT 56/18 E SKKT 57/18 E1) 2100 2000 1000 SKKT 56/20 E SKKT 57/20 E1) 2300 2200 1000 SKKT 56/22 E SKKT 57/22 E1) SKKH 56/14 E SKKH 56/16 E SKKH 56/18 E – – Symbol Conditions ITAV ID IRMS ITSM i 2t tgd tgr (di/dt)cr tq IH IL VT VT(TO) rT IDD; IRD VGT IGT VGD IGD Rthjc sin. 180; Tcase = 74 °C Tcase = 80 °C B2/B6 Tamb = 45 °C; P 3/180 Tamb = 35 °C; P 3/180 F W1/W3 Tamb = 35 °C; P 3/180 F Tvj = 25 °C; 10 ms Tvj = 125 °C; 10 ms Tvj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms Tvj = 125 °C; 8,3 ... 10 ms Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/µs VD = 0,67 . VDRM Tvj = 125 °C Tvj = 125 °C Tvj = 25 °C; typ./max. Tvj = 25 °C; RG = 33 Ω; typ./max. Tvj = 25 °C; IT = 200 A Tvj = 125 °C Tvj = 125 °C Tvj = 125 °C; VRD = VRRM VDD = VDRM Tvj = 25 °C; d.c. Tvj = 25 °C; d.c. Tvj = 125 °C; d.c. Tvj = 125 °C; d.c. cont. sin. 180 rec. 120 per thyristor / per module SKKT 56 SKKT 57 SKKH 56 SKKT 57B Units SKKH 57 60 55 57 / 68 100...