-6,5*0.5-
,0.35
15
n6z
D2 1—1
B1t—S21
SMY51
Typ tranzystora: tranzystor krzemowy Firma: RFT
Wykonanie: podwójny tranzystor polowy MOS (kanał typu P normalnie wyłączony) w obudowie plastykowej z zabezpieczającymi diodami scalonymi. Źródło tranzystora 2 jest połączone z podłożem wewnątrz obudowy, ciężar około 0,4 G
Zastosowanie: układy cyfrowe, element unipolarnej serii układów scalonych
Typy podobne: MEM550 (GI)
6, D, S,
Rys. 1-1059. SMY51
Wartości charakterystyczne1'
-b -UT
—Igss ~Igss.
Transistor
-6,5*0.5-
,0.35
15
n6z
D2 1—1
B1t—S21
SMY51
Typ tranzystora: tranzystor krzemowy Firma: RFT
Wykonanie: podwójny tranzystor polowy MOS (kanał typu P normalnie wyłączony) w obudowie plastykowej z zabezpieczającymi diodami scalonymi. Źródło tranzystora 2 jest połączone z podłożem wewnątrz obudowy, ciężar około 0,4 G
Zastosowanie: układy cyfrowe, element unipolarnej serii układów scalonych
Typy podobne: MEM550 (GI)
6, D, S,
Rys. 1-1059. SMY51
Wartości charakterystyczne1'
-b -UT
—Igss ~Igss '~Idss —Idss — Cgss
-b yzi Rds
min typ max 3 3 10
0,1
10
0,1
12
10 3,6 150
m A przy -uDS = 2 V, -UGS = 10 V, -USB = 0
V przy UDs = UGS, -Usb = 0, -IB = 10 (iA
przy -uDS = 0, -Uas = 31 V, -USB = 0 [xA przy -UDS = 0, -UBS = 20 V, -USB = 0
[xA przy -UDS = 31 V, -Uas = 0, - U S B = 0
(iA przy -UDS = 20 V, -UBS = 0, -USB = 0
p F przy -UDS = 0, -Ucs = 0, —UDB = 0
mA przy -UDS = 10 V, -UGS = 10 V
mS przy -Uds = 10 V, -UGS = 0, / = 1 kHz
n przy
100 [iA, -UGS = 20 V
Wartości graniczne
— Uds max Ugs max
~ U[IG max Usb max ^D max
max
31 - r - 0 , 3 31-T--0,3 31 -r - 3 1
0 20
0,1
» lamb = 25°C 21 dwa tranzystory, tamb = 25°C
V V V V mA mA
IgsM max *PpdtSotmamxax lstg tamb
2 200 2402)
—40-> +125 -25-Ś- + 85
mA mW mW
°C °C
7S tamb[°C]WO
Rys. 1-1060. Zależność dopuszczalnej mocy strat od temperatury otoczenia
J "> >S rUss[v] 20 Rys. 1-1061. Charakterystyka wejściowa
Rys. 1-1062. Charakterystyki wyjściowe
Rys. 1-1063. Zależność rezystancji RDS od napięcia bramki
.