DatasheetsPDF.com

SMY51 Datasheet

Part Number SMY51
Manufacturers ETC
Logo ETC
Description Transistor
Datasheet SMY51 DatasheetSMY51 Datasheet (PDF)

-6,5*0.5- ,0.35 15 n6z D2 1—1 B1t—S21 SMY51 Typ tranzystora: tranzystor krzemowy Firma: RFT Wykonanie: podwójny tranzystor polowy MOS (kanał typu P normalnie wyłączony) w obudowie plastykowej z zabezpieczającymi diodami scalonymi. Źródło tranzystora 2 jest połączone z podłożem wewnątrz obudowy, ciężar około 0,4 G Zastosowanie: układy cyfrowe, element unipolarnej serii układów scalonych Typy podobne: MEM550 (GI) 6, D, S, Rys. 1-1059. SMY51 Wartości charakterystyczne1' -b -UT —Igss ~Igss.

  SMY51   SMY51






Transistor

-6,5*0.5- ,0.35 15 n6z D2 1—1 B1t—S21 SMY51 Typ tranzystora: tranzystor krzemowy Firma: RFT Wykonanie: podwójny tranzystor polowy MOS (kanał typu P normalnie wyłączony) w obudowie plastykowej z zabezpieczającymi diodami scalonymi. Źródło tranzystora 2 jest połączone z podłożem wewnątrz obudowy, ciężar około 0,4 G Zastosowanie: układy cyfrowe, element unipolarnej serii układów scalonych Typy podobne: MEM550 (GI) 6, D, S, Rys. 1-1059. SMY51 Wartości charakterystyczne1' -b -UT —Igss ~Igss '~Idss —Idss — Cgss -b yzi Rds min typ max 3 3 10 0,1 10 0,1 12 10 3,6 150 m A przy -uDS = 2 V, -UGS = 10 V, -USB = 0 V przy UDs = UGS, -Usb = 0, -IB = 10 (iA przy -uDS = 0, -Uas = 31 V, -USB = 0 [xA przy -UDS = 0, -UBS = 20 V, -USB = 0 [xA przy -UDS = 31 V, -Uas = 0, - U S B = 0 (iA przy -UDS = 20 V, -UBS = 0, -USB = 0 p F przy -UDS = 0, -Ucs = 0, —UDB = 0 mA przy -UDS = 10 V, -UGS = 10 V mS przy -Uds = 10 V, -UGS = 0, / = 1 kHz n przy 100 [iA, -UGS = 20 V Wartości graniczne — Uds max Ugs max ~ U[IG max Usb max ^D max max 31 - r - 0 , 3 31-T--0,3 31 -r - 3 1 0 20 0,1 » lamb = 25°C 21 dwa tranzystory, tamb = 25°C V V V V mA mA IgsM max *PpdtSotmamxax lstg tamb 2 200 2402) —40-> +125 -25-Ś- + 85 mA mW mW °C °C 7S tamb[°C]WO Rys. 1-1060. Zależność dopuszczalnej mocy strat od temperatury otoczenia J "> >S rUss[v] 20 Rys. 1-1061. Charakterystyka wejściowa Rys. 1-1062. Charakterystyki wyjściowe Rys. 1-1063. Zależność rezystancji RDS od napięcia bramki .


2015-08-31 : W7NA90    AD5243    AD5248    AD7641    2SC2808    C2808    SP8680B    CH315G    CH315H    NCP5381   


@ 2014 :: Datasheetspdf.com ::
Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)