MOSFET. SVF2N65FG Datasheet

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Part SVF2N65FG
Description 650V N-CHANNEL MOSFET
Feature SVF2N65F/FG/N/MJ 2A、650V N SVF2N65F/FG/N/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 。 、。 AC-DC ,DC-DC , H PWM.
Manufacture SL
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SVF2N65F/FG/N/MJ 2A、650V N SVF2N65F/FG/N/MJ N MOS F-Cel SVF2N65FG Datasheet




SVF2N65FG
SVF2N65F/FG/N/MJ 说明书
2A650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N65F/FG/N/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶
体管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换
器,高压 H PWM 马达驱动。
特点
2A650VRDS(on)(典型值)=4.1Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
命名规则
士兰F-Cell工艺
VDMOS产品标识
额定电流标识,采用1-2位数字;
例如:4 代表 4A,10 代表 10A,
08 代表 0.8A
沟道极性标识,N代表N 沟道
产品规格分类
产品名称
SVF2N65F
SVF2N65FG
SVF2N65N
SVF2N65MJ
封装形式
TO-220F-3L
TO-220F-3L
TO-126-3L
TO-251J-3L
无卤
封装外形标识
例如:F:TO-220F; N:TO-126;
MJ:TO-251J
额定耐压值,采用2位数字
例如:60表示600V,65表示650V
特殊功能、规格标识,通常省略
例如:E 表示内置了ESD保护结构
打印名称
SVF2N65F
SVF2N65FG
SVF2N65N
SVF2N65MJ
材料
无铅
无卤
无铅
无铅
包装
料管
料管
袋装
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.6 2012.06.15
共9页 第1页



SVF2N65FG
SVF2N65F/FG/N/MJ 说明书
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
TC=25°C
TC=100°C
耗散功率(TC=25°C
- 大于 25°C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注 1
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
EAS
TJ
Tstg
SVF2N65F(G)
25
0.20
参数范围
SVF2N65N
650
±30
2.0
1.3
8.0
32
0.26
100
-55+150
-55+150
SVF2N65MJ
单位
V
V
A
A
38 W
0.30 W/°C
mJ
°C
°C
热阻特性
参数
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
SVF2N65F(G)
5.0
120
参数范围
SVF2N65N
3.91
62.5
SVF2N65MJ
3.29
110
单位
°C/W
°C/W
电性参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VGS=0VID=250µA
VDS=650VVGS=0V
VGS=±30VVDS=0V
VGS= VDSID=250µA
VGS=10VID=1.0A
VDS=25VVGS=0V
f=1.0MHz
VDD=325VRG=25
ID=2.0A
(23)
VDS=520VID=2.0A
VGS=10V
(23)
最小值
650
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
4.1
261.8
34.3
1.3
10.67
20.0
12.4
18.0
5.83
1.73
2.0
最大值
--
1.0
±100
4.0
4.8
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
µA
nA
V
Ω
pF
ns
nC
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