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TDM3307 Datasheet

Part Number TDM3307
Manufacturers Techcode
Logo Techcode
Description P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datasheet TDM3307 DatasheetTDM3307 Datasheet (PDF)

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3307  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch or in PWM applications.  GENERAL FEATURES   ‐30V/‐50A   RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   HBM ESD capability level of 8KV typical   Lead free product is available   DFN3*3‐8 Package  Application   PWM applicati.

  TDM3307   TDM3307






Part Number TDM3307A
Manufacturers Techcode
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Description P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datasheet TDM3307 DatasheetTDM3307A Datasheet (PDF)

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The TDM3307A uses advanced trench technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch or in PWM applications.  GENERAL FEATURES   ‐30V/‐24A   RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   Lead free product is available   PPAK*3‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    AB.

  TDM3307   TDM3307







P-Channel Enhancement Mode MOSFET

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3307  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch or in PWM applications.  GENERAL FEATURES   ‐30V/‐50A   RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   HBM ESD capability level of 8KV typical   Lead free product is available   DFN3*3‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    DATASHEET TDM3307   PPAK-3*3-8    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continuous Forward Current  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current  Maximum Power Dissipation (note1)  Continuous Drain Current  Maximum Power Dissipat.


2017-10-12 : S50VB005    S50VB100    LEE-128G032-1    ATGM332D    AK2538F    HX4004A    C0201C120J3GAC    C0201C150J3GAC    M34280M1-XXXGP    150K40   


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