TDM3307A

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The TDM3307A uses advanced trench technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch or in PWM applications.  GENERAL FEATURES   ‐30V/‐24A   RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   Lead free product is available   PPAK*3‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current  Maximum Power Dissipation (note1)  Maximum Junction Temperature  Storage Temperature Range  Thermal Resistance‐Junction to Ambient (note1)  Thermal Resistance‐Junction to Case (note2)      Symbol  V...