TDM3426B

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3426B  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead free product is available   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    DATASHEET TDM3426B         ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Is(TC=25℃)  Continuous Drain Current (Note 1)  ID（TC=25℃）  Pulse Drain Current Tested  IDM（TA=25℃）  Maximum Power Dissipation  PD(TC=25℃)  Maximum Power Dissipation  PD（TA=25℃）  PD（TA=70℃）  Thermal Resistance,Junction‐to‐Ambient(t<10s)  RθJA  Maximum Operating Junction Temperature  TJ  Storage Temperature Range    NOTES:  TSTG  1. Max continuous current is limited by bonding wire.    Limit  30  +20  5  18  36  20  3.5  2.2  35  150  ‐55 To 150  Unit  V  V  A  A  A  W  W  W  ℃/W  ℃  ℃  May  24,  2016                                                            Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com  1  T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (...