TDM3466

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3466  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES     RDS(ON) < 2.45mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 1.9mΩ @ VGS=10V   High Power and current handing capability   Lead free product is acquired   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    DATASHEET TDM3466   ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Drain Current @ Current‐Pulsed    IDM（TC=25℃）  ID（TC=25℃）  Drain Current @ Continuous  ID（TC=25℃）  ID（TC=100℃）  Maximum Power Dissipation    PD(TC=25℃)  ...