US6J11

US6J11 　　Pch+Pch -12V -1.3A Small Signal MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD -12V 260mΩ ±1.3A 1.0W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) -1.5V Drive. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TUMT6). 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lOutline SOT-363T TUMT6 　 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape lApplication Reel size (mm) 180 Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 8 3000 Taping code TR Marking J11 lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage VDSS ID IDP*1 VGSS -12 V ±1.3 A ±5.2 A ±10 V Power dissipation total element PD*2 1.0 0.7 W total PD*3 0.91 Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20160630 - Rev.001 　 　 US6J11 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient total element total 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 125 - - 179 - - 137 Unit ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temp...