TDM31044 Datasheet

TDM31044 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

The  TDM31044  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead f.

Features

 RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V 
 High Power and current handling capability 
 Lead free product is available 
 TO263 Package  Application 
 PWM applications 
 Load switch 
 Power management 
 Hard Switched and High Frequency Circuits        ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Is（TC=25℃）  Drain Current @ Continuous  ID（TC=25℃）  ID（TC=100℃）  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  IDM（TC=25℃）  Maximum Power D.